BRAINZAP 4GB DDR3 RAM SO

您所在的位置:网站首页 ddr3 12800s BRAINZAP 4GB DDR3 RAM SO

BRAINZAP 4GB DDR3 RAM SO

#BRAINZAP 4GB DDR3 RAM SO| 来源: 网络整理| 查看: 265

Popis produktu

Náš 4GB paměťový modul DDR3 RAM, číslo dílu BS-D3-4G-SO-1600-1RX8-L, pracuje při napětí 1,35 V i 1,5 V a je vyroben a testován podle nejvyšších standardů kvality.

Frekvence paměti je 1600 MHz a je kompatibilní směrem dolů s 1333 MHz a 1066 MHz.

Značka BRAINZAP je registrována u JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) a naše paměťové moduly jsou 100% v souladu se specifikacemi JEDEC. Paměťový modul je proramován specifikací JEDEC PC3L-12800S-11. Odpovídající latence paměti je CL11.

Paměťový modul je jednořadý 1Rx8. Paměťový modul je bez vyrovnávací paměti a bez ECC, a proto bez problémů pracuje ve většině zařízení.

Používáme pouze značkové čipy (přednostně Samsung, Micron a SK Hynix). Na všechny naše paměťové moduly získáte doživotní záruku. Další informace o záruce naleznete v záručních podmínkách.

Nová paměť.Značkové čipy (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)Kompatibilní s většinou notebooků s pamětí DDR3.Ukázkový obrázek: Paměťová karta s pamětí typu DDR2 je vybavena pamětí typu DDR2. Vzhled se může lišit.Podrobnosti o produktu

EAN: 4262360570609Typ paměti: DDR3 RAMZnačka: BRAINZAPModellnummer: BS-D3-4G-SO-1600-1RX8-LKompatibilní s: BRAINRAX, s.r.o: Notebooky - Intel a AMDFrekvence paměti: 1600 MHzKapacita jednotlivých modulů: 4 GBPočet modulů: 1Celková kapacita: 4 GBSpeicher-Spezifikation: PC3L-12800S-11Standard JEDEC: PC3L-12800STyp: SO DIMM 204-pinNevyrovnaný: anoECC: neRegistrované: neNapětí: 1,35 VLatence (CL): 11Uspořádání čipů: 1Rx8


【本文地址】


今日新闻


推荐新闻


CopyRight 2018-2019 办公设备维修网 版权所有 豫ICP备15022753号-3